RN1105MFV,L3F(CT
Tillverkare
TOSHIBA
Datablad
Datablad
Specifikation
Specifikation
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
Förbise Biaiserad Bipolär Transistor (BJT) NPN - Förbise Biaiserad 50 V 100 mA 150 mW Ytmonterad VESM
Förbise Biaiserad Bipolär Transistor (BJT) NPN - Förbise Biaiserad 50 V 100 mA 150 mW Ytmonterad VESM
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The RN1105MFV,L3F is a pre-biased NPN bipolar transistor designed for surface mount applications. It operates at a maximum collector-emitter voltage of 50V and a collector current of 100mA, with a power dissipation of 150mW. The integrated bias resistor simplifies circuit design by reducing external component count.
The RN1105MFV,L3F is a pre-biased NPN bipolar transistor designed for surface mount applications. It operates at a maximum collector-emitter voltage of 50V and a collector current of 100mA, with a power dissipation of 150mW. The integrated bias resistor simplifies circuit design by reducing external component count.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Christian eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.K