RN1104,LF(CT
Tillverkare
TOSHIBA
Datablad
Datablad
Specifikation
Specifikation
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
Förbisegande bipolär transistor (BJT) NPN - Förbisegande 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW ytmonterad SSM
Förbisegande bipolär transistor (BJT) NPN - Förbisegande 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW ytmonterad SSM
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The RN1104,LF is a pre-biased NPN bipolar transistor designed for surface mount applications. It operates at a maximum collector-emitter voltage of 50 V and a collector current of 100 mA, with a transition frequency of 250 MHz. The integrated bias resistor simplifies circuit design by reducing external component count.
The RN1104,LF is a pre-biased NPN bipolar transistor designed for surface mount applications. It operates at a maximum collector-emitter voltage of 50 V and a collector current of 100 mA, with a transition frequency of 250 MHz. The integrated bias resistor simplifies circuit design by reducing external component count.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Martin eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.K