logo

RF3L05250CB4

Tillverkare

ST MICROELECTRONICS

data-sheet
Datablad
Datablad
RF3L05250CB4 används inom industriella och telekommunikationsapplikationer, särskilt för 2-30 MHz HF-kommunikation, 30-88 MHz markkommunikation, 118-140 MHz avionik och 30-512 MHz störsystem. Dess höga effektutgång och effektivitet gör den idealisk för olika RF-applikationer.
Specifikation
Specifikation
RF MOSFET LDMOS 28V LBB
RF MOSFET LDMOS 28V LBB
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
RF Mosfet 28 V 100 mA 1GHz 18dB 250W LBB
RF Mosfet 28 V 100 mA 1GHz 18dB 250W LBB
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The RF3L05250CB4 is a 250 W, 28/32 V LDMOS RF power transistor designed for wideband communication and ISM applications from HF to 1 GHz. It features high efficiency (62%) and linear gain (18 dB), integrated ESD protection, and supports class AB, B, or C operation. It is suitable for various communication applications, including avionics and ground communication.
The RF3L05250CB4 is a 250 W, 28/32 V LDMOS RF power transistor designed for wideband communication and ISM applications from HF to 1 GHz. It features high efficiency (62%) and linear gain (18 dB), integrated ESD protection, and supports class AB, B, or C operation. It is suitable for various communication applications, including avionics and ground communication.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Nicklas eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Nicklas Johansson
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.