logo

R1RW0416DSB-2PR#S1

Tillverkare

RENESAS

data-sheet
Datablad
Datablad
R1RW0416DSB-2PR#S1 används i hög hastighet minnesapplikationer, särskilt inom industri- och telekommunikationssektorerna. Dess egenskaper gör den idealisk för cache- och bufferminne, där snabba åtkomsttider och låg strömförbrukning är avgörande. Enhetens kompatibilitet med TTL-logik förbättrar ytterligare dess integration i olika elektroniska system.
Specifikation
Specifikation
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
SRAM - Asynkron minnes-IC 4Mbit parallell 12 ns 44-TSOP II
SRAM - Asynkron minnes-IC 4Mbit parallell 12 ns 44-TSOP II
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The R1RW0416DSB-2PR#S1 is a 4Mbit asynchronous SRAM organized as 256-kword × 16-bit, featuring a 12 ns access time. It operates on a single 5.0V supply and is designed for high-speed applications requiring static memory without clock or timing strobe. The device is TTL compatible and offers low standby currents, making it suitable for cache and buffer memory in various systems.
The R1RW0416DSB-2PR#S1 is a 4Mbit asynchronous SRAM organized as 256-kword × 16-bit, featuring a 12 ns access time. It operates on a single 5.0V supply and is designed for high-speed applications requiring static memory without clock or timing strobe. The device is TTL compatible and offers low standby currents, making it suitable for cache and buffer memory in various systems.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Gustaf eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Gustaf Eriksson
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.