logo

R1RW0416DSB-2LR#D1

Tillverkare

RENESAS

data-sheet
Datablad
Datablad
R1RW0416DSB-2LR#D1 är idealisk för hög hastighet minnesapplikationer inom industriell och konsumentelektronik, särskilt i cache- och bufferminnesystem. Dess låga strömförbrukning gör den lämplig för batteribackup-system, vilket säkerställer effektiv prestanda i olika elektroniska enheter.
Specifikation
Specifikation
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
SRAM-minnes IC 4Mbit parallell 12 ns 44-TSOP II
SRAM-minnes IC 4Mbit parallell 12 ns 44-TSOP II
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The R1RW0416DSB-2LR#D1 is a 4-Mbit high-speed static RAM organized as 256-kword × 16-bit, featuring a 12 ns access time. It operates on a single 3.3V supply and is designed for applications requiring high-speed, high-density memory, such as cache and buffer memory. The device is available in a 44-pin TSOP II package, suitable for surface mounting.
The R1RW0416DSB-2LR#D1 is a 4-Mbit high-speed static RAM organized as 256-kword × 16-bit, featuring a 12 ns access time. It operates on a single 3.3V supply and is designed for applications requiring high-speed, high-density memory, such as cache and buffer memory. The device is available in a 44-pin TSOP II package, suitable for surface mounting.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Lukas eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Lukas Wallin
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.