logo

R1RW0416DSB-0PR#D1

Tillverkare

RENESAS

data-sheet
Datablad
Datablad
R1RW0416DSB-0PR#D1 är lämplig för hög hastighet minnesapplikationer inom industriell och konsumentelektronik, särskilt i system som kräver effektiva cache- och bufferminneslösningar. Dess låga strömförbrukning gör den idealisk för batteribackup-system, vilket säkerställer pålitlig prestanda i olika elektroniska enheter.
Specifikation
Specifikation
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
SRAM - Asynkron minnes-IC 4Mbit parallell 10 ns 44-TSOP II
SRAM - Asynkron minnes-IC 4Mbit parallell 10 ns 44-TSOP II
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The R1RW0416DSB-0PR#D1 is a 4-Mbit high-speed static RAM organized as 256-kword × 16-bit, featuring an access time of 10 ns. It operates on a single 3.3V supply and is designed for applications requiring high-speed, high-density memory, such as cache and buffer memory. The device is available in a 44-pin plastic TSOP II package.
The R1RW0416DSB-0PR#D1 is a 4-Mbit high-speed static RAM organized as 256-kword × 16-bit, featuring an access time of 10 ns. It operates on a single 3.3V supply and is designed for applications requiring high-speed, high-density memory, such as cache and buffer memory. The device is available in a 44-pin plastic TSOP II package.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Marcus eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Marcus Gustafsson
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.