logo

R1RW0416DGE-2PR#B1

Tillverkare

RENESAS

data-sheet
Datablad
Datablad
R1RW0416DGE-2PR#B1 är lämplig för industriella tillämpningar, särskilt i system som kräver hög hastighet på minneslösningar. Dess egenskaper gör den idealisk för cache- och buffermemory i olika elektroniska enheter, vilket säkerställer effektiv databehandling och lagring.
Specifikation
Specifikation
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
SRAM Minne IC 4Mbit Parallell 12 ns 44-SOJ
SRAM Minne IC 4Mbit Parallell 12 ns 44-SOJ
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The R1RW0416DGE-2PR#B1 is a 4-Mbit high-speed static RAM organized as 256-kword × 16-bit. It features a 12 ns access time, operates on a single 3.3V supply, and is designed for applications requiring high-speed and high-density memory, such as cache and buffer memory. The device is available in a 44-pin SOJ package.
The R1RW0416DGE-2PR#B1 is a 4-Mbit high-speed static RAM organized as 256-kword × 16-bit. It features a 12 ns access time, operates on a single 3.3V supply, and is designed for applications requiring high-speed and high-density memory, such as cache and buffer memory. The device is available in a 44-pin SOJ package.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Martin eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Martin Elfstrand
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.