logo

R1RW0408DGE-2PI#B1

Tillverkare

RENESAS

data-sheet
Datablad
Datablad
R1RW0408DGE-2PI#B1 är utformad för hög hastighet minnesapplikationer inom industri- och telekommunikationssektorer. Dess egenskaper gör den lämplig för cache- och bufferminne i system som kräver hög densitet och snabba åtkomsttider, med en driftstemperatur på -40 till +85°C.
Specifikation
Specifikation
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
SRAM Minne IC 4Mbit Parallell 12 ns 36-SOJ
SRAM Minne IC 4Mbit Parallell 12 ns 36-SOJ
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The R1RW0408DGE-2PI#B1 is a 4-Mbit high-speed static RAM organized as 512-kword × 8-bit, featuring a maximum access time of 12 ns. It operates on a single 3.3V supply and is packaged in a 36-pin SOJ for high-density surface mounting. This SRAM is ideal for applications requiring fast, static memory such as cache and buffer memory.
The R1RW0408DGE-2PI#B1 is a 4-Mbit high-speed static RAM organized as 512-kword × 8-bit, featuring a maximum access time of 12 ns. It operates on a single 3.3V supply and is packaged in a 36-pin SOJ for high-density surface mounting. This SRAM is ideal for applications requiring fast, static memory such as cache and buffer memory.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Gustaf eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Gustaf Eriksson
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.