logo

R1LV0216BSB-5SI#B1

Tillverkare

RENESAS

data-sheet
Datablad
Datablad
R1LV0216BSB är lämplig för lågvärdesminnesapplikationer inom industriell och konsumentelektronik, särskilt där batteridrift och backup är avgörande. Dess låga strömförbrukning och enkla gränssnitt gör den idealisk för bärbara enheter, dataloggar och andra applikationer som kräver effektiva minneslösningar.
Specifikation
Specifikation
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
SRAM-minnes IC 2Mbit parallell 55 ns 44-TSOP II
SRAM-minnes IC 2Mbit parallell 55 ns 44-TSOP II
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The R1LV0216BSB is a 2-Mbit static RAM (SRAM) memory IC organized as 131,072 words by 16 bits, featuring a single power supply of 2.7V to 3.6V and a maximum access time of 55 ns. It is designed for low power consumption with a standby current of 1µA (typical at 3.0V), making it suitable for battery-operated applications. Packaged in a 44-pin TSOP II, it supports TTL-compatible inputs and outputs, ensuring easy interfacing.
The R1LV0216BSB is a 2-Mbit static RAM (SRAM) memory IC organized as 131,072 words by 16 bits, featuring a single power supply of 2.7V to 3.6V and a maximum access time of 55 ns. It is designed for low power consumption with a standby current of 1µA (typical at 3.0V), making it suitable for battery-operated applications. Packaged in a 44-pin TSOP II, it supports TTL-compatible inputs and outputs, ensuring easy interfacing.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Patrick eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Patrick Wiström
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.