logo

R1LV0108ESF-5SI#B1

Tillverkare

RENESAS

data-sheet
Datablad
Datablad
R1LV0108ESF-5SI#B1 är idealisk för lågenergi-minnesapplikationer inom konsumentelektronik, telekommunikation och industriella enheter. Dess låga spänningsdrift och minimala viloström gör den lämplig för batteridrivna och backup-system, vilket säkerställer effektiv prestanda i bärbara och inbyggda applikationer.
Specifikation
Specifikation
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
SRAM-minnes IC 1Mbit parallell 55 ns 32-TSOP I
SRAM-minnes IC 1Mbit parallell 55 ns 32-TSOP I
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The R1LV0108ESF-5SI#B1 is a 1Mbit static RAM memory IC organized as 128k words by 8 bits, featuring a parallel interface and a maximum access time of 55 ns. It operates on a single power supply of 2.7V to 3.6V and has a low standby current of 0.6µA at 3.0V. This device is designed for applications requiring simple interfacing and low power consumption, making it suitable for battery-operated devices.
The R1LV0108ESF-5SI#B1 is a 1Mbit static RAM memory IC organized as 128k words by 8 bits, featuring a parallel interface and a maximum access time of 55 ns. It operates on a single power supply of 2.7V to 3.6V and has a low standby current of 0.6µA at 3.0V. This device is designed for applications requiring simple interfacing and low power consumption, making it suitable for battery-operated devices.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Jan-Erik eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Jan-Erik Johannessen
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.