logo

QEB373ZR

Tillverkare

ON SEMICONDUCTOR

data-sheet
Datablad
Datablad
QEB373ZR är avsedd för användning inom industriell och konsumentelektronik, särskilt inom infraröd kommunikation, sensorer och fjärrkontrollsystem. Dess höga strålningsintensitet och smala utsläppsvinkel gör den lämplig för precisa tillämpningar som kräver effektiv ljusutsändning.
Specifikation
Specifikation
EMITTER IR 875NM 50MA SMD
EMITTER IR 875NM 50MA SMD
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
Infraröd (IR) Sändare 875nm 1.7V 50mA 16mW/sr @ 100mA 24° 2-SMD, Z-Böj
Infraröd (IR) Sändare 875nm 1.7V 50mA 16mW/sr @ 100mA 24° 2-SMD, Z-Böj
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The QEB373ZR is a subminiature plastic infrared emitting diode with a peak emission wavelength of 875 nm. It operates at a forward current of 50 mA and features a narrow emission angle of 24°. The device is housed in a T-3/4 (2.50 x 2.00 mm) surface mount package, providing high radiant intensity and a clear lens for optimal performance.
The QEB373ZR is a subminiature plastic infrared emitting diode with a peak emission wavelength of 875 nm. It operates at a forward current of 50 mA and features a narrow emission angle of 24°. The device is housed in a T-3/4 (2.50 x 2.00 mm) surface mount package, providing high radiant intensity and a clear lens for optimal performance.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Nicklas eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Nicklas Johansson
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.