logo

PD57030S-E

Tillverkare

ST MICROELECTRONICS

data-sheet
Datablad
Datablad
PD57030S-E är idealisk för RF-effektapplikationer inom telekommunikation, särskilt i basstationer. Dess höga förstärkning och linjäritet gör den lämplig för kommersiellt och industriellt bruk, och den fungerar effektivt vid frekvenser upp till 1 GHz. Enhetens robusta design säkerställer tillförlitlighet i krävande miljöer.
Specifikation
Specifikation
RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO-10RF
RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO-10RF
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
RF Mosfet 28 V 50 mA 945MHz 14dB 30W ytmonterad PowerSO-10RF (Raka ben)
RF Mosfet 28 V 50 mA 945MHz 14dB 30W ytmonterad PowerSO-10RF (Raka ben)
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The PD57030S-E is an N-channel enhancement-mode LDMOS RF power transistor designed for high gain and broad band applications. Operating at 28 V, it delivers 30 W output power with 14 dB gain at 945 MHz. The PowerSO-10RF package ensures excellent thermal stability and reliability, making it suitable for base station applications.
The PD57030S-E is an N-channel enhancement-mode LDMOS RF power transistor designed for high gain and broad band applications. Operating at 28 V, it delivers 30 W output power with 14 dB gain at 945 MHz. The PowerSO-10RF package ensures excellent thermal stability and reliability, making it suitable for base station applications.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Christian eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Christian Burö
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.