logo

PD57030-E

Tillverkare

ST MICROELECTRONICS

data-sheet
Datablad
Datablad
PD57030-E är lämplig för RF-effektapplikationer inom telekommunikation och industriella sektorer. Dess höga förstärkning och linjäritet gör den idealisk för basstationssändare och andra RF-förstärkningsbehov, vilket säkerställer pålitlig prestanda i krävande miljöer.
Specifikation
Specifikation
RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO10
RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO10
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
RF Mosfet 28 V 50 mA 945MHz 14dB 30W 10-PowerSO
RF Mosfet 28 V 50 mA 945MHz 14dB 30W 10-PowerSO
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The PD57030-E is an N-channel enhancement-mode LDMOS RF power transistor designed for high gain and broad band applications. Operating at 28 V, it delivers 30 W output power with 14 dB gain at 945 MHz. The device features excellent thermal stability and is housed in a PowerSO-10RF package optimized for RF performance.
The PD57030-E is an N-channel enhancement-mode LDMOS RF power transistor designed for high gain and broad band applications. Operating at 28 V, it delivers 30 W output power with 14 dB gain at 945 MHz. The device features excellent thermal stability and is housed in a PowerSO-10RF package optimized for RF performance.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Nicklas eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Nicklas Johansson
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.