logo

PD57018S-E

Tillverkare

ST MICROELECTRONICS

data-sheet
Datablad
Datablad
PD57018S-E är lämplig för RF-effektapplikationer inom telekommunikation och industriella sektorer. Dess höga förstärkning och effektivitet gör den idealisk för basstationssändare och andra RF-förstärkningsbehov, vilket säkerställer pålitlig prestanda i krävande miljöer.
Specifikation
Specifikation
RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO-10RF
RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO-10RF
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
RF Mosfet 28 V 100 mA 945MHz 16.5dB 18W PowerSO-10RF (Raka Ben)
RF Mosfet 28 V 100 mA 945MHz 16.5dB 18W PowerSO-10RF (Raka Ben)
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The PD57018S-E is an N-channel enhancement-mode LDMOS RF power transistor designed for high gain and broad band applications. Operating at 28V, it delivers 18W output power with 16.5dB gain at 945MHz. The device features excellent thermal stability and is housed in a PowerSO-10RF package, optimized for RF performance.
The PD57018S-E is an N-channel enhancement-mode LDMOS RF power transistor designed for high gain and broad band applications. Operating at 28V, it delivers 18W output power with 16.5dB gain at 945MHz. The device features excellent thermal stability and is housed in a PowerSO-10RF package, optimized for RF performance.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Marcus eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Marcus Gustafsson
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.