logo

PD55015-E

Tillverkare

ST MICROELECTRONICS

data-sheet
Datablad
Datablad
PD55015-E är lämplig för RF-effektförstärkning inom kommersiella och industriella tillämpningar, särskilt inom telekommunikation och fordonssektorn, såsom bilmobila radioapparater. Dess höga förstärkning och effektivitet gör den idealisk för användning i RF-sändare och förstärkare som arbetar upp till 1 GHz.
Specifikation
Specifikation
RF MOSFET LDMOS 12.5V PWRSO-10RF
RF MOSFET LDMOS 12.5V PWRSO-10RF
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
RF Mosfet 12,5 V 150 mA 500MHz 14dB 15W ytmonterad PowerSO-10RF (Formed Lead)
RF Mosfet 12,5 V 150 mA 500MHz 14dB 15W ytmonterad PowerSO-10RF (Formed Lead)
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The PD55015-E is an N-channel enhancement-mode LDMOS RF power transistor designed for high gain and broad band applications. It operates at 12.5 V, delivering 15 W output power with 14 dB gain at 500 MHz. The device features excellent thermal stability and reliability, optimized for RF performance in a PowerSO-10RF package.
The PD55015-E is an N-channel enhancement-mode LDMOS RF power transistor designed for high gain and broad band applications. It operates at 12.5 V, delivering 15 W output power with 14 dB gain at 500 MHz. The device features excellent thermal stability and reliability, optimized for RF performance in a PowerSO-10RF package.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Bengt eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Bengt Almlund
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.