logo

PD55008TR-E

Tillverkare

ST MICROELECTRONICS

data-sheet
Datablad
Datablad
PD55008TR-E är lämplig för RF-effektapplikationer inom kommersiella och industriella sektorer, särskilt inom telekommunikation och fordonsystem. Dess höga förstärkning och effektivitet gör den idealisk för mobilradio och andra RF-kommunikationsenheter, vilket säkerställer pålitlig prestanda i krävande miljöer.
Specifikation
Specifikation
RF MOSFET LDMOS 12.5V PWRSO-10RF
RF MOSFET LDMOS 12.5V PWRSO-10RF
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
RF Mosfet 12,5 V 150 mA 500MHz 17dB 8W PowerSO-10RF (Formad Ledning)
RF Mosfet 12,5 V 150 mA 500MHz 17dB 8W PowerSO-10RF (Formad Ledning)
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The PD55008TR-E is an N-channel enhancement-mode RF MOSFET designed for high gain and broadband applications. It operates at 12.5 V with a maximum output power of 8 W and a gain of 17 dB at 500 MHz. The device features excellent thermal stability and is housed in a PowerSO-10RF package, optimized for RF performance.
The PD55008TR-E is an N-channel enhancement-mode RF MOSFET designed for high gain and broadband applications. It operates at 12.5 V with a maximum output power of 8 W and a gain of 17 dB at 500 MHz. The device features excellent thermal stability and is housed in a PowerSO-10RF package, optimized for RF performance.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Jan-Erik eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Jan-Erik Johannessen
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.