logo

PD55003TR-E

Tillverkare

ST MICROELECTRONICS

data-sheet
Datablad
Datablad
PD55003TR-E är idealisk för RF-effektapplikationer inom kommersiella och industriella sektorer, särskilt inom telekommunikation och fordonsystem. Dess höga förstärkning och effektivitet vid 500 MHz gör den lämplig för mobila radioapparater och andra RF-kommunikationsenheter, vilket säkerställer pålitlig prestanda i krävande miljöer.
Specifikation
Specifikation
RF MOSFET LDMOS 12.5V POWERSO10
RF MOSFET LDMOS 12.5V POWERSO10
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
RF Mosfet 12,5 V 50 mA 500MHz 17dB 3W 10-PowerSO
RF Mosfet 12,5 V 50 mA 500MHz 17dB 3W 10-PowerSO
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The PD55003TR-E is an N-channel enhancement-mode LDMOS RF power transistor designed for high gain and broad band applications. Operating at 12.5 V, it delivers 3 W output power with 17 dB gain at 500 MHz. Its PowerSO-10RF package ensures excellent thermal stability and reliability, making it suitable for commercial and industrial use.
The PD55003TR-E is an N-channel enhancement-mode LDMOS RF power transistor designed for high gain and broad band applications. Operating at 12.5 V, it delivers 3 W output power with 17 dB gain at 500 MHz. Its PowerSO-10RF package ensures excellent thermal stability and reliability, making it suitable for commercial and industrial use.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Jan-Erik eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Jan-Erik Johannessen
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.