logo

PD55003L-E

Tillverkare

ST MICROELECTRONICS

data-sheet
Datablad
Datablad
PD55003L-E är idealisk för RF-effektförstärkning i fordons- och industriella tillämpningar, särskilt i mobila radiosystem. Dess höga förstärkning och linjäritet gör den lämplig för bredbandskommunikationssystem, vilket säkerställer pålitlig prestanda i krävande miljöer.
Specifikation
Specifikation
RF MOSFET LDMOS 12.5V POWERFLAT
RF MOSFET LDMOS 12.5V POWERFLAT
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
RF Mosfet 12,5 V 50 mA 500MHz 19dB 3W PowerFLAT™ (5x5)
RF Mosfet 12,5 V 50 mA 500MHz 19dB 3W PowerFLAT™ (5x5)
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The PD55003L-E is an N-channel enhancement-mode RF power transistor designed for high gain and broadband applications. Operating at 12.5 V, it delivers 3 W output power with 19 dB gain at 500 MHz. Its innovative PowerFLAT™ package ensures excellent thermal stability and reliability, making it suitable for commercial and industrial use.
The PD55003L-E is an N-channel enhancement-mode RF power transistor designed for high gain and broadband applications. Operating at 12.5 V, it delivers 3 W output power with 19 dB gain at 500 MHz. Its innovative PowerFLAT™ package ensures excellent thermal stability and reliability, making it suitable for commercial and industrial use.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Martin eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Martin Elfstrand
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.