logo

PD54008TR-E

Tillverkare

ST MICROELECTRONICS

data-sheet
Datablad
Datablad
PD54008TR-E är lämplig för RF-effektförstärkning i kommersiella och industriella tillämpningar, särskilt inom telekommunikation och bärbara radiosystem. Dess höga förstärkning och effektivitet gör den idealisk för användning i enheter som kräver pålitlig RF-prestanda vid frekvenser upp till 1 GHz.
Specifikation
Specifikation
RF MOSFET LDMOS 7.5V PWRSO-10RF
RF MOSFET LDMOS 7.5V PWRSO-10RF
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
RF Mosfet 7.5 V 150 mA 500MHz 11.5dB 8W PowerSO-10RF (Formad Ledning)
RF Mosfet 7.5 V 150 mA 500MHz 11.5dB 8W PowerSO-10RF (Formad Ledning)
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The PD54008TR-E is an N-channel enhancement-mode LDMOS RF power transistor designed for high gain and broad band applications. It operates at 7.5 V, delivering 8 W output power with 11.5 dB gain at 500 MHz. The device features excellent thermal stability and is housed in a PowerSO-10RF package, optimized for RF performance.
The PD54008TR-E is an N-channel enhancement-mode LDMOS RF power transistor designed for high gain and broad band applications. It operates at 7.5 V, delivering 8 W output power with 11.5 dB gain at 500 MHz. The device features excellent thermal stability and is housed in a PowerSO-10RF package, optimized for RF performance.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Christian eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Christian Burö
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.