logo

PD54008-E

Tillverkare

ST MICROELECTRONICS

data-sheet
Datablad
Datablad
PD54008-E är lämplig för kommersiella och industriella RF-applikationer, särskilt i bärbara radiosystem. Dess höga förstärkning och linjäritet gör den idealisk för användning inom telekommunikation och sändningsutrustning, vilket säkerställer pålitlig prestanda i krävande miljöer.
Specifikation
Specifikation
RF MOSFET LDMOS 7.5V POWERSO10
RF MOSFET LDMOS 7.5V POWERSO10
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
RF Mosfet 7.5 V 150 mA 500MHz 11.5dB 8W 10-PowerSO
RF Mosfet 7.5 V 150 mA 500MHz 11.5dB 8W 10-PowerSO
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The PD54008-E is an N-channel enhancement-mode LDMOS RF power transistor designed for high gain and broad band applications. It operates at 7.5 V, delivering 8 W output power with 11.5 dB gain at 500 MHz. The device features excellent thermal stability and is housed in a PowerSO-10RF package optimized for RF performance.
The PD54008-E is an N-channel enhancement-mode LDMOS RF power transistor designed for high gain and broad band applications. It operates at 7.5 V, delivering 8 W output power with 11.5 dB gain at 500 MHz. The device features excellent thermal stability and is housed in a PowerSO-10RF package optimized for RF performance.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Lukas eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Lukas Wallin
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.