logo

PD54003-E

Tillverkare

ST MICROELECTRONICS

data-sheet
Datablad
Datablad
PD54003-E är lämplig för RF-effektförstärkning i kommersiella och industriella tillämpningar, särskilt i bärbara radioapparater och kommunikationssystem. Dess höga förstärkning och linjäritet gör den idealisk för användning i enheter som kräver effektiv RF-prestanda vid frekvenser upp till 1 GHz.
Specifikation
Specifikation
RF MOSFET LDMOS 7.5V POWERSO10
RF MOSFET LDMOS 7.5V POWERSO10
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
RF Mosfet 7,5 V 50 mA 500MHz 12dB 3W 10-PowerSO
RF Mosfet 7,5 V 50 mA 500MHz 12dB 3W 10-PowerSO
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The PD54003-E is an N-channel enhancement-mode LDMOS RF power transistor designed for high gain and broadband applications. Operating at 7.5V, it delivers 3W output power with 12dB gain at 500MHz. The device features excellent thermal stability and is housed in a PowerSO-10RF package, optimized for RF performance and assembly.
The PD54003-E is an N-channel enhancement-mode LDMOS RF power transistor designed for high gain and broadband applications. Operating at 7.5V, it delivers 3W output power with 12dB gain at 500MHz. The device features excellent thermal stability and is housed in a PowerSO-10RF package, optimized for RF performance and assembly.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Bengt eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Bengt Almlund
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.