PBSS5320D,125
Tillverkare
NXP
Datablad
Datablad
Specifikation
Specifikation
TRANS PNP 20V 3A LO-SAT 6TSOP
TRANS PNP 20V 3A LO-SAT 6TSOP
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
Bipolar (BJT) Transistor med dimensioner på 10 mm (0,39 tum) i längd och 5 mm (0,20 tum) i bredd. Den har RDS(on) egenskaper och är utrustad med ett tjockfilmsmotstånd för stabilitet. Enheten kan tåla en effekt på upp till 1 W (0,001 kW). Den har en trumformad kärna och är trådlindad för förbättrad prestanda. Denna komponent klassificeras som ytmonterad.
Bipolar (BJT) Transistor med dimensioner på 10 mm (0,39 tum) i längd och 5 mm (0,20 tum) i bredd. Den har RDS(on) egenskaper och är utrustad med ett tjockfilmsmotstånd för stabilitet. Enheten kan tåla en effekt på upp till 1 W (0,001 kW). Den har en trumformad kärna och är trådlindad för förbättrad prestanda. Denna komponent klassificeras som ytmonterad.
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The PBSS5320D is a low VCEsat PNP bipolar transistor designed for high current applications. It features a maximum collector-emitter voltage of -20V and a collector current capability of -3A. The device is housed in a SOT457 (SC-74) package, ensuring efficient thermal management and reduced heat generation, making it suitable for various applications including supply line switching and battery management.
The PBSS5320D is a low VCEsat PNP bipolar transistor designed for high current applications. It features a maximum collector-emitter voltage of -20V and a collector current capability of -3A. The device is housed in a SOT457 (SC-74) package, ensuring efficient thermal management and reduced heat generation, making it suitable for various applications including supply line switching and battery management.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Christian eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.K