PBSS303PD,115
Tillverkare
NXP
Datablad
Datablad
Specifikation
Specifikation
TRANS PNP 60V 3A 6TSOP
TRANS PNP 60V 3A 6TSOP
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
Bipolar (BJT) Transistor med dimensioner på 10 mm (0,39 tum) i längd och 5 mm (0,20 tum) i bredd. Den har RDS(on) egenskaper och är utrustad med ett tjockfilmsmotstånd för stabilitet. Enheten tål en effekt på upp till 1 W (0,001 kW). Den har en trumformad kärna och är trådlindad för förbättrad prestanda. Denna komponent klassificeras som ytmonterad.
Bipolar (BJT) Transistor med dimensioner på 10 mm (0,39 tum) i längd och 5 mm (0,20 tum) i bredd. Den har RDS(on) egenskaper och är utrustad med ett tjockfilmsmotstånd för stabilitet. Enheten tål en effekt på upp till 1 W (0,001 kW). Den har en trumformad kärna och är trådlindad för förbättrad prestanda. Denna komponent klassificeras som ytmonterad.
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The PBSS303PD is a PNP bipolar transistor designed for high-voltage applications, featuring a maximum collector-emitter voltage of 60V and a collector current capability of 3A. It is housed in a compact SOT457 (SC-74) surface-mounted package, offering low VCEsat and high efficiency, making it suitable for automotive and industrial applications.
The PBSS303PD is a PNP bipolar transistor designed for high-voltage applications, featuring a maximum collector-emitter voltage of 60V and a collector current capability of 3A. It is housed in a compact SOT457 (SC-74) surface-mounted package, offering low VCEsat and high efficiency, making it suitable for automotive and industrial applications.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Petra eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.K