PBRP113ET-QR
Tillverkare
NEXPERIA
Datablad
Datablad
Specifikation
Specifikation
TRANS PREBIAS PNP 40V TO236AB
TRANS PREBIAS PNP 40V TO236AB
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
Förspänd bipolär transistor (BJT) PNP - Förspänd 40 V 600 mA 250 mW ytmonterad TO-236AB
Förspänd bipolär transistor (BJT) PNP - Förspänd 40 V 600 mA 250 mW ytmonterad TO-236AB
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The PBRP113ET-Q is a pre-biased PNP bipolar transistor designed for surface mount applications. It operates at a collector-emitter voltage of 40 V and supports an output current of 600 mA. The device features built-in bias resistors (R1 = 1 kΩ, R2 = 1 kΩ) and offers low collector-emitter saturation voltage (VCEsat) and high current gain (hFE), making it suitable for automotive and industrial applications.
The PBRP113ET-Q is a pre-biased PNP bipolar transistor designed for surface mount applications. It operates at a collector-emitter voltage of 40 V and supports an output current of 600 mA. The device features built-in bias resistors (R1 = 1 kΩ, R2 = 1 kΩ) and offers low collector-emitter saturation voltage (VCEsat) and high current gain (hFE), making it suitable for automotive and industrial applications.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Jan-Erik eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.K