PBRP113ET,215
Tillverkare
NEXPERIA
Datablad
Datablad
Specifikation
Specifikation
TRANS PREBIAS PNP 40V TO236AB
TRANS PREBIAS PNP 40V TO236AB
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
Förspänd bipolär transistor (BJT) PNP - Förspänd 40 V 600 mA 250 mW ytmonterad TO-236AB
Förspänd bipolär transistor (BJT) PNP - Förspänd 40 V 600 mA 250 mW ytmonterad TO-236AB
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The PBRP113ET is a pre-biased PNP bipolar transistor designed for surface mount applications. It operates at a collector-emitter voltage of 40 V and supports an output current of 600 mA. This device features built-in bias resistors, low VCEsat, and high current gain, making it ideal for reducing component count and simplifying circuit design.
The PBRP113ET is a pre-biased PNP bipolar transistor designed for surface mount applications. It operates at a collector-emitter voltage of 40 V and supports an output current of 600 mA. This device features built-in bias resistors, low VCEsat, and high current gain, making it ideal for reducing component count and simplifying circuit design.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Nicklas eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.K