logo

PBRN113ET-QR

Tillverkare

NEXPERIA

data-sheet
Datablad
Datablad
PBRN113ET-Q är lämplig för användning inom fordons- och industriapplikationer, särskilt i digitala kretsar, lastomkoppling och medelströms perifera drivrutiner. Dess låga VCEsat och inbyggda biasmotstånd förbättrar designeffektiviteten och minskar kostnaderna, vilket gör den till en värdefull komponent i moderna elektroniska system.
Specifikation
Specifikation
TRANS PREBIAS NPN 40V TO236AB
TRANS PREBIAS NPN 40V TO236AB
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
Förspänd bipolär transistor (BJT) NPN - Förspänd 40 V 600 mA 250 mW ytmonterad TO-236AB
Förspänd bipolär transistor (BJT) NPN - Förspänd 40 V 600 mA 250 mW ytmonterad TO-236AB
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The PBRN113ET-Q is a pre-biased NPN bipolar transistor designed for surface mount applications. It operates at a collector-emitter voltage (VCEO) of 40 V and supports an output current of 600 mA. This device features built-in bias resistors (R1 = 1 kΩ, R2 = 1 kΩ) and low collector-emitter saturation voltage (VCEsat), making it ideal for reducing component count and simplifying circuit design.
The PBRN113ET-Q is a pre-biased NPN bipolar transistor designed for surface mount applications. It operates at a collector-emitter voltage (VCEO) of 40 V and supports an output current of 600 mA. This device features built-in bias resistors (R1 = 1 kΩ, R2 = 1 kΩ) and low collector-emitter saturation voltage (VCEsat), making it ideal for reducing component count and simplifying circuit design.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Gustaf eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Gustaf Eriksson
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.