logo

NTF2955T1G

Tillverkare

UMW YOUTAI SEMICONDUCTOR

data-sheet
Datablad
Datablad
NTF2955T1G är avsedd för användning inom industriella och fordonsapplikationer, särskilt i effektstyrningskretsar där hög effektivitet och termisk prestanda är avgörande. Dess specifikationer gör den idealisk för switch- och förstärkningsuppgifter i olika elektroniska enheter.
Specifikation
Specifikation
MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223
MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
-
-
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The NTF2955T1G is a P-Channel MOSFET with a maximum Drain-Source Voltage (VDS) of -60V and a continuous Drain Current (ID) of -7A at VGS = -10V. It features an on-state resistance (RDS(on)) of less than 55mΩ and operates within a temperature range of -55 to 150 °C. This device is suitable for various applications requiring efficient power management.
The NTF2955T1G is a P-Channel MOSFET with a maximum Drain-Source Voltage (VDS) of -60V and a continuous Drain Current (ID) of -7A at VGS = -10V. It features an on-state resistance (RDS(on)) of less than 55mΩ and operates within a temperature range of -55 to 150 °C. This device is suitable for various applications requiring efficient power management.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Andra tillverkare
NTF2955T1G finns även hos följande tillverkare
Kontakta säljare
Kontakta Lukas eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Lukas Wallin
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.