logo

NP90N06VDK-E1-AY

Tillverkare

RENESAS

data-sheet
Datablad
Datablad
NP90N06VDK är utformad för fordonsapplikationer, särskilt i högströmsomkopplingsscenarier. Dess låga RDS(on) och höga effektavledningskapaciteter gör den idealisk för användning i effektstyrningssystem, motorstyrning och andra fordons elektroniska system som kräver effektiv omkopplingsprestanda.
Specifikation
Specifikation
POWER TRANSISTOR N-CH AUTO POWER
POWER TRANSISTOR N-CH AUTO POWER
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
N-Kanal 60 V 90A (Tc) 1.2W (Ta), 147W (Tc) ytmonterad TO-252 (MP-3ZP)
N-Kanal 60 V 90A (Tc) 1.2W (Ta), 147W (Tc) ytmonterad TO-252 (MP-3ZP)
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The NP90N06VDK is an N-channel power MOSFET designed for high current switching applications, featuring a maximum drain-source voltage of 60 V and a continuous drain current of 90 A. It has a super low on-state resistance (RDS(on)1 = 5.3 mΩ at VGS = 10 V, ID = 45 A) and low input capacitance (Ciss = 4000 pF). This device is suitable for automotive applications and is AEC-Q101 qualified, housed in a surface-mounted TO-252 (MP-3ZP) package.
The NP90N06VDK is an N-channel power MOSFET designed for high current switching applications, featuring a maximum drain-source voltage of 60 V and a continuous drain current of 90 A. It has a super low on-state resistance (RDS(on)1 = 5.3 mΩ at VGS = 10 V, ID = 45 A) and low input capacitance (Ciss = 4000 pF). This device is suitable for automotive applications and is AEC-Q101 qualified, housed in a surface-mounted TO-252 (MP-3ZP) package.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Bengt eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Bengt Almlund
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.