logo

NP50P06KDG-E1-AY

Tillverkare

RENESAS

data-sheet
Datablad
Datablad
NP50P06KDG-E1-AY är utformad för fordonsapplikationer, särskilt i högströmsomkopplingsscenarier. Dess låga RDS(on) och höga effektavledningskapaciteter gör den idealisk för användning i strömhanteringssystem, motorstyrning och andra fordons elektroniska system som kräver effektiv omkopplingsprestanda.
Specifikation
Specifikation
MOSFET P-CH 60V 50A TO263
MOSFET P-CH 60V 50A TO263
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
P-Kanal 60 V 50A (Tc) 1.8W (Ta), 90W (Tc) ytmonterad TO-263
P-Kanal 60 V 50A (Tc) 1.8W (Ta), 90W (Tc) ytmonterad TO-263
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The NP50P06KDG-E1-AY is a P-channel MOSFET designed for high current switching applications, featuring a maximum Drain-Source Voltage of -60V and a continuous Drain Current of -50A. It has a super low on-state resistance of RDS(on) = 17 mΩ at VGS = -10V and ID = -25A, making it suitable for automotive applications. The device is housed in a surface-mounted TO-263 package and is AEC-Q101 qualified.
The NP50P06KDG-E1-AY is a P-channel MOSFET designed for high current switching applications, featuring a maximum Drain-Source Voltage of -60V and a continuous Drain Current of -50A. It has a super low on-state resistance of RDS(on) = 17 mΩ at VGS = -10V and ID = -25A, making it suitable for automotive applications. The device is housed in a surface-mounted TO-263 package and is AEC-Q101 qualified.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Christian eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Christian Burö
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.