logo

NP20P06SLG-E1-AY

Tillverkare

RENESAS

data-sheet
Datablad
Datablad
NP20P06SLG-E1-AY är utformad för fordonsapplikationer, särskilt i högströmsomkopplingsscenarier. Dess låga RDS(on) och inbyggda grindskyddsdiod förbättrar prestandan i fordonskretsar, vilket säkerställer tillförlitlighet och effektivitet i krävande miljöer.
Specifikation
Specifikation
MOSFET P-CH 60V 20A TO252
MOSFET P-CH 60V 20A TO252
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
P-Kanal 60 V 20A (Tc) 1.2W (Ta), 38W (Tc) ytmonterad TO-252 (MP-3ZK)
P-Kanal 60 V 20A (Tc) 1.2W (Ta), 38W (Tc) ytmonterad TO-252 (MP-3ZK)
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The NP20P06SLG-E1-AY is a P-Channel MOSFET designed for high current switching applications, featuring a maximum Drain-Source Voltage of -60V and a continuous Drain Current of -20A. It has a super low on-state resistance of RDS(on) = 48 mΩ at VGS = -10V and ID = -10A, making it suitable for automotive applications. The device is housed in a surface-mounted TO-252 package and is AEC-Q101 qualified.
The NP20P06SLG-E1-AY is a P-Channel MOSFET designed for high current switching applications, featuring a maximum Drain-Source Voltage of -60V and a continuous Drain Current of -20A. It has a super low on-state resistance of RDS(on) = 48 mΩ at VGS = -10V and ID = -10A, making it suitable for automotive applications. The device is housed in a surface-mounted TO-252 package and is AEC-Q101 qualified.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Jan-Erik eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Jan-Erik Johannessen
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.