logo

NP20P04SLG-E1-AY

Tillverkare

RENESAS

data-sheet
Datablad
Datablad
NP20P04SLG-E1-AY är utformad för fordonsapplikationer, särskilt i högströmsomkopplingsscenarier. Dess låga RDS(on) och robusta termiska prestanda gör den idealisk för användning i effektstyrningssystem, motorstyrning och andra fordons elektroniska system som kräver effektiva omkopplingsmöjligheter.
Specifikation
Specifikation
MOSFET P-CH 40V 20A TO252
MOSFET P-CH 40V 20A TO252
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
P-Kanal 40 V 20A (Tc) 1.2W (Ta), 38W (Tc) ytmonterad TO-252 (MP-3ZK)
P-Kanal 40 V 20A (Tc) 1.2W (Ta), 38W (Tc) ytmonterad TO-252 (MP-3ZK)
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The NP20P04SLG-E1-AY is a P-channel MOSFET designed for high current switching applications, featuring a maximum Drain-Source Voltage (VDSS) of -40V and a continuous Drain Current (ID) of -20A. It has a super low on-state resistance (RDS(on)) of 25 mΩ at VGS = -10V and ID = -10A, making it suitable for automotive applications. The device is housed in a surface-mounted TO-252 package and includes built-in gate protection.
The NP20P04SLG-E1-AY is a P-channel MOSFET designed for high current switching applications, featuring a maximum Drain-Source Voltage (VDSS) of -40V and a continuous Drain Current (ID) of -20A. It has a super low on-state resistance (RDS(on)) of 25 mΩ at VGS = -10V and ID = -10A, making it suitable for automotive applications. The device is housed in a surface-mounted TO-252 package and includes built-in gate protection.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Jan-Erik eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Jan-Erik Johannessen
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.