logo

NP15P06SLG-E1-AY

Tillverkare

RENESAS

data-sheet
Datablad
Datablad
NP15P06SLG-E1-AY är utformad för fordonsapplikationer, särskilt i högströmsbrytande kretsar. Dess låga RDS(on) och robusta termiska prestanda gör den idealisk för användning i effektstyrningssystem, motorstyrning och andra fordons elektroniska system som kräver pålitlig och effektiv brytning.
Specifikation
Specifikation
MOSFET P-CH 60V 15A TO252
MOSFET P-CH 60V 15A TO252
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
P-Kanal 60 V 15A (Ta) 1.2W (Ta), 30W (Tc) ytmonterad TO-252 (MP-3ZK)
P-Kanal 60 V 15A (Ta) 1.2W (Ta), 30W (Tc) ytmonterad TO-252 (MP-3ZK)
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The NP15P06SLG-E1-AY is a P-channel MOSFET designed for high current switching applications, featuring a maximum Drain-Source Voltage of -60V and a continuous Drain Current of -15A. It has a super low on-state resistance of RDS(on) = 70 mΩ at VGS = -10V and ID = -7.5A, with a total power dissipation of 30W at Tc = 25°C. This device is AEC-Q101 qualified, making it suitable for automotive applications.
The NP15P06SLG-E1-AY is a P-channel MOSFET designed for high current switching applications, featuring a maximum Drain-Source Voltage of -60V and a continuous Drain Current of -15A. It has a super low on-state resistance of RDS(on) = 70 mΩ at VGS = -10V and ID = -7.5A, with a total power dissipation of 30W at Tc = 25°C. This device is AEC-Q101 qualified, making it suitable for automotive applications.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Gustaf eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Gustaf Eriksson
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.