logo

NJVMJB41CT4G

Tillverkare

ON SEMICONDUCTOR

data-sheet
Datablad
Datablad
NJVMJB41CT4G är idealisk för fordons- och industriella tillämpningar som kräver robust effektbehandling och termisk prestanda. Dess AEC-Q101-kvalificering säkerställer tillförlitlighet i fordonsmiljöer, medan dess höga ström- och spänningsvärden gör den lämplig för effektstyrning inom konsumentelektronik och telekommunikation.
Specifikation
Specifikation
TRANS NPN 100V 6A D2PAK-3
TRANS NPN 100V 6A D2PAK-3
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
Bipolär (BJT) Transistor NPN 3MHz 2 W Ytmonterad D2PAK
Bipolär (BJT) Transistor NPN 3MHz 2 W Ytmonterad D2PAK
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The NJVMJB41CT4G is a high-performance NPN bipolar transistor designed for surface mount applications. It features a maximum collector-emitter voltage of 100 V, continuous collector current of 6 A, and a power dissipation of 65 W. This device operates at a frequency of 3 MHz and is housed in a D2PAK package, making it suitable for various power applications.
The NJVMJB41CT4G is a high-performance NPN bipolar transistor designed for surface mount applications. It features a maximum collector-emitter voltage of 100 V, continuous collector current of 6 A, and a power dissipation of 65 W. This device operates at a frequency of 3 MHz and is housed in a D2PAK package, making it suitable for various power applications.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Andra tillverkare
NJVMJB41CT4G finns även hos följande tillverkare
Kontakta säljare
Kontakta Jan-Erik eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Jan-Erik Johannessen
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.