logo

N0601N-ZK-E1-AY

Tillverkare

RENESAS

data-sheet
Datablad
Datablad
N0601N-ZK-E1-AY är lämplig för högströmsomkopplingsapplikationer inom industriell och konsumentelektronik. Dess låga RDS(on) och höga strömkapacitet gör den idealisk för effektstyrning i olika elektroniska system, inklusive strömförsörjningar och motorstyrningar.
Specifikation
Specifikation
MOSFET N-CH 60V 100A TO263
MOSFET N-CH 60V 100A TO263
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
N-Kanal 60 V 100A (Ta) 1,5W (Ta), 156W (Tc) ytmonterad TO-263
N-Kanal 60 V 100A (Ta) 1,5W (Ta), 156W (Tc) ytmonterad TO-263
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The N0601N-ZK-E1-AY is an N-channel MOSFET designed for high current switching applications. It features a maximum drain-source voltage of 60V and a continuous drain current rating of ±100A. The device has a low on-state resistance of RDS(on) = 4.2 mΩ at VGS = 10V and ID = 50A, making it suitable for efficient power management in various electronic systems. The TO-263 package allows for surface mounting, enhancing thermal performance with a total power dissipation of 156W at TC = 25°C.
The N0601N-ZK-E1-AY is an N-channel MOSFET designed for high current switching applications. It features a maximum drain-source voltage of 60V and a continuous drain current rating of ±100A. The device has a low on-state resistance of RDS(on) = 4.2 mΩ at VGS = 10V and ID = 50A, making it suitable for efficient power management in various electronic systems. The TO-263 package allows for surface mounting, enhancing thermal performance with a total power dissipation of 156W at TC = 25°C.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Petra eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Petra Målberg
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.