logo

MR25H10CDF

Tillverkare

EVERSPIN

data-sheet
Datablad
Datablad
MR25H10 är utformad för industriella tillämpningar som kräver snabba, pålitliga icke-flyktiga minneslösningar. Dess funktioner gör den idealisk för datalagring i system där snabb åtkomst och hög hållbarhet är avgörande, såsom inom fordonsindustrin, telekommunikation och konsumentelektronik.
Specifikation
Specifikation
IC RAM 1MBIT SPI 40MHZ 8DFN
IC RAM 1MBIT SPI 40MHZ 8DFN
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
MRAM (Magnetoresistiv RAM) Minne IC 1Mbit SPI 40 MHz 8-DFN-EP, Liten Flagga (5x6 mm (0.20x0.24 in))
MRAM (Magnetoresistiv RAM) Minne IC 1Mbit SPI 40 MHz 8-DFN-EP, Liten Flagga (5x6 mm (0.20x0.24 in))
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The MR25H10 is a 1Mbit Magnetoresistive RAM (MRAM) device featuring a fast SPI interface with a clock rate of up to 40 MHz. It offers unlimited write endurance, no write delays, and data retention exceeding 20 years. The device operates within a power supply range of 2.7 to 3.6 volts and is available in an 8-pin DFN package, suitable for industrial applications.
The MR25H10 is a 1Mbit Magnetoresistive RAM (MRAM) device featuring a fast SPI interface with a clock rate of up to 40 MHz. It offers unlimited write endurance, no write delays, and data retention exceeding 20 years. The device operates within a power supply range of 2.7 to 3.6 volts and is available in an 8-pin DFN package, suitable for industrial applications.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Patrick eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Patrick Wiström
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.