logo

MMBZ5V6ALT1G

Tillverkare

ON SEMICONDUCTOR

data-sheet
Datablad
Datablad
MMBZ5V6ALT1G är idealisk för applikationer som kräver transient överspänningsskydd i spänningskänslig utrustning som datorer, skrivare och kommunikationssystem. Dess dubbla junctiondesign möjliggör effektiv skydd av två separata linjer, vilket gör den lämplig för högdensitets PCB-layouts.
Specifikation
Specifikation
DIODE ZENER 5.6V SOT23-3
DIODE ZENER 5.6V SOT23-3
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
Zenerdiodarray 1 par gemensam anod 5,6 V 300 mW ±5% SOT-23-3 (TO-236)
Zenerdiodarray 1 par gemensam anod 5,6 V 300 mW ±5% SOT-23-3 (TO-236)
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The MMBZ5V6ALT1G is a dual monolithic silicon Zener diode array designed for transient overvoltage protection. It features a common anode configuration with a breakdown voltage of 5.6 V and a power rating of 300 mW. Packaged in a SOT-23-3 case, it is suitable for applications in voltage-sensitive equipment, ensuring efficient space utilization on PCBs.
The MMBZ5V6ALT1G is a dual monolithic silicon Zener diode array designed for transient overvoltage protection. It features a common anode configuration with a breakdown voltage of 5.6 V and a power rating of 300 mW. Packaged in a SOT-23-3 case, it is suitable for applications in voltage-sensitive equipment, ensuring efficient space utilization on PCBs.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Andra tillverkare
MMBZ5V6ALT1G finns även hos följande tillverkare
Kontakta säljare
Kontakta Jan-Erik eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Jan-Erik Johannessen
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.