logo

MJD45H11AJ

Tillverkare

NEXPERIA

data-sheet
Datablad
Datablad
MJD45H11AJ är idealisk för fordons- och industriella tillämpningar, inklusive effektstyrning, lastomkoppling, linjär spänningsreglering, konstant strömdrivning för bakgrundsbelysning, motorstyrning och reläersättning. Dess höga termiska avledning och effektivitet gör den lämplig för krävande miljöer.
Specifikation
Specifikation
TRANS PNP 80V 8A DPAK
TRANS PNP 80V 8A DPAK
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 8 A 80MHz 1.75 W ytmonterad DPAK
Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 8 A 80MHz 1.75 W ytmonterad DPAK
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The MJD45H11AJ is a high power PNP bipolar transistor designed for surface mount applications. It features a maximum collector-emitter voltage of 80 V, a collector current rating of 8 A, and a power dissipation capability of 1.75 W. This device operates at a frequency of up to 80 MHz, making it suitable for various power management applications.
The MJD45H11AJ is a high power PNP bipolar transistor designed for surface mount applications. It features a maximum collector-emitter voltage of 80 V, a collector current rating of 8 A, and a power dissipation capability of 1.75 W. This device operates at a frequency of up to 80 MHz, making it suitable for various power management applications.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Lukas eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Lukas Wallin
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.