logo

MJD44H11J

Tillverkare

NEXPERIA

data-sheet
Datablad
Datablad
MJD44H11J är idealisk för effektstyrning, lastbrytning, linjär spänningsreglering, konstant strömdrift för bakgrundsbelysning, motorstyrning och reläersättning inom industriella och konsumentelektronikapplikationer.
Specifikation
Specifikation
TRANS NPN 80V 8A DPAK
TRANS NPN 80V 8A DPAK
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
Bipolär (BJT) Transistor NPN 80 V 8 A 160MHz 1.75 W ytmonterad DPAK
Bipolär (BJT) Transistor NPN 80 V 8 A 160MHz 1.75 W ytmonterad DPAK
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The MJD44H11J is an NPN high power bipolar transistor designed for surface mount applications. It features a collector-emitter voltage of 80 V, a collector current of 8 A, and a transition frequency of 160 MHz. This device is housed in a DPAK package and offers high thermal dissipation and efficiency, making it suitable for various power management applications.
The MJD44H11J is an NPN high power bipolar transistor designed for surface mount applications. It features a collector-emitter voltage of 80 V, a collector current of 8 A, and a transition frequency of 160 MHz. This device is housed in a DPAK package and offers high thermal dissipation and efficiency, making it suitable for various power management applications.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Lukas eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Lukas Wallin
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.