logo

KSP13BU

Tillverkare

ON SEMICONDUCTOR

data-sheet
Datablad
Datablad
KSP13BU används inom industriella och konsumentelektronikapplikationer, särskilt i förstärknings- och switchkretsar där hög strömförstärkning och effektivitet krävs. Dess robusta specifikationer gör den idealisk för användning i signalbehandling och styrsystem.
Specifikation
Specifikation
TRANS NPN DARL 30V 0.5A TO92-3
TRANS NPN DARL 30V 0.5A TO92-3
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
Bipolär (BJT) Transistor NPN - Darlington 30 V (1.18 in) 500 mA (0.02 in) 125MHz 625 mW (0.02 in) Genomgående hål TO-92-3
Bipolär (BJT) Transistor NPN - Darlington 30 V (1.18 in) 500 mA (0.02 in) 125MHz 625 mW (0.02 in) Genomgående hål TO-92-3
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The KSP13BU is a NPN Darlington transistor designed for high current gain applications. It features a collector-emitter voltage of 30 V, a maximum collector current of 500 mA, and a power dissipation of 625 mW. This device operates at a frequency of up to 125 MHz, making it suitable for various electronic applications.
The KSP13BU is a NPN Darlington transistor designed for high current gain applications. It features a collector-emitter voltage of 30 V, a maximum collector current of 500 mA, and a power dissipation of 625 mW. This device operates at a frequency of up to 125 MHz, making it suitable for various electronic applications.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Jan-Erik eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Jan-Erik Johannessen
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.