logo

KSD1616AGBU

Tillverkare

ON SEMICONDUCTOR

data-sheet
Datablad
Datablad
KSD1616AGBU är lämplig för användning i tjockfilmsmotstånd för ljudfrekvens kraftförstärkare och medelhastighetsomkopplingsapplikationer inom konsumentelektronik och telekommunikation. Dess robusta specifikationer gör den idealisk för olika elektroniska kretsar som kräver pålitlig prestanda under måttliga effektförhållanden.
Specifikation
Specifikation
TRANS NPN 60V 1A TO92-3
TRANS NPN 60V 1A TO92-3
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
Bipolär (BJT) Transistor NPN 60 V 1 A 160MHz 750 mW Genomgående hål TO-92-3
Bipolär (BJT) Transistor NPN 60 V 1 A 160MHz 750 mW Genomgående hål TO-92-3
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The KSD1616AGBU is a NPN bipolar junction transistor designed for audio frequency power amplification and medium-speed switching applications. It features a collector-emitter voltage rating of 60 V, a collector current of 1 A, and a current gain bandwidth product of 160 MHz. The device is housed in a TO-92-3 package and is Pb-free.
The KSD1616AGBU is a NPN bipolar junction transistor designed for audio frequency power amplification and medium-speed switching applications. It features a collector-emitter voltage rating of 60 V, a collector current of 1 A, and a current gain bandwidth product of 160 MHz. The device is housed in a TO-92-3 package and is Pb-free.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Richard eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Richard Mattsson
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.