logo

KSC5402DTF

Tillverkare

ON SEMICONDUCTOR

data-sheet
Datablad
Datablad
KSC5402DTF används inom industriella och konsumentelektronikapplikationer, särskilt i högspännings kraftswitching och elektroniska ballastkretsar. Dess robusta specifikationer, inklusive en maximal kollektor-emitter spänning på 525 V och en effektklass på 30 W, gör den idealisk för krävande miljöer där tillförlitlighet och effektivitet är avgörande.
Specifikation
Specifikation
TRANS NPN 525V 2A TO252AA
TRANS NPN 525V 2A TO252AA
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
Bipolär (BJT) Transistor NPN 525 V 2 A 11 MHz 30 W ytmonterad TO-252AA
Bipolär (BJT) Transistor NPN 525 V 2 A 11 MHz 30 W ytmonterad TO-252AA
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The KSC5402DTF is a high-voltage NPN bipolar junction transistor designed for power switching applications. It features a collector-emitter voltage rating of 525 V, a collector current of 2 A, and a current gain bandwidth of 11 MHz. The device is housed in a TO-252AA surface mount package, making it suitable for compact designs. It also includes a built-in freewheeling diode, enhancing its performance in electronic ballast applications.
The KSC5402DTF is a high-voltage NPN bipolar junction transistor designed for power switching applications. It features a collector-emitter voltage rating of 525 V, a collector current of 2 A, and a current gain bandwidth of 11 MHz. The device is housed in a TO-252AA surface mount package, making it suitable for compact designs. It also includes a built-in freewheeling diode, enhancing its performance in electronic ballast applications.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Nicklas eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Nicklas Johansson
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.