logo

J112

Tillverkare

ON SEMICONDUCTOR

data-sheet
Datablad
Datablad
J112 N-kanal JFET är lämplig för industriella tillämpningar, särskilt inom signalbehandling och switchande kretsar. Dess egenskaper gör den idealisk för lågbrusförstärkning och analog signalmodulering i olika elektroniska enheter.
Specifikation
Specifikation
JFET N-CH 35V TO92-3
JFET N-CH 35V TO92-3
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
JFET N-kanal 35 V 625 mW Genom hål TO-92-3
JFET N-kanal 35 V 625 mW Genom hål TO-92-3
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The J112 is an N-Channel JFET transistor designed for applications requiring a maximum drain-gate voltage of -35 Vdc and a gate-source voltage of -35 Vdc. It features a total device dissipation of 625 mW and operates within a temperature range of -65 to +150 °C. The device is housed in a TO-92-3 package.
The J112 is an N-Channel JFET transistor designed for applications requiring a maximum drain-gate voltage of -35 Vdc and a gate-source voltage of -35 Vdc. It features a total device dissipation of 625 mW and operates within a temperature range of -65 to +150 °C. The device is housed in a TO-92-3 package.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Andra tillverkare
J112 finns även hos följande tillverkare
Kontakta säljare
Kontakta Bengt eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Bengt Almlund
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.