logo

IRF830ASTRLPBF

Tillverkare

SILICONIX

data-sheet
Datablad
Datablad
IRF830ASTRLPBF är idealisk för tjockfilmsmotstånd i switch mode power supplies (SMPS), avbrottsfri strömförsörjning och hög hastighet strömbrytning. Dess robusta design och låga gate-laddning möjliggör effektiv drift inom industriella och konsumentelektroniksektorer, vilket säkerställer pålitlig prestanda i krävande miljöer.
Specifikation
Specifikation
MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
N-Kanal 500 V 5A (Tc) 74W (Tc) Ytmonterad TO-263 (D2PAK)
N-Kanal 500 V 5A (Tc) 74W (Tc) Ytmonterad TO-263 (D2PAK)
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The IRF830ASTRLPBF is an N-Channel MOSFET designed for high voltage applications, featuring a maximum Drain-Source Voltage (VDS) of 500V and a continuous Drain Current (ID) of 5A at a case temperature (Tc) of 25°C. It has a maximum on-state resistance (RDS(on)) of 1.40Ω at VGS = 10V and a total gate charge (Qg) of 24nC, making it suitable for efficient switching in power applications.
The IRF830ASTRLPBF is an N-Channel MOSFET designed for high voltage applications, featuring a maximum Drain-Source Voltage (VDS) of 500V and a continuous Drain Current (ID) of 5A at a case temperature (Tc) of 25°C. It has a maximum on-state resistance (RDS(on)) of 1.40Ω at VGS = 10V and a total gate charge (Qg) of 24nC, making it suitable for efficient switching in power applications.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Petra eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Petra Målberg
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.