logo

IRF730APBF

Tillverkare

SILICONIX

data-sheet
Datablad
Datablad
IRF730APBF används inom industriella tillämpningar som tjockfilmsmotstånd (SMPS), avbrottsfri strömförsörjning och hög hastighetseffektomkoppling. Dess robusta design och låga gate-laddning gör den idealisk för effektiv energihantering i olika elektroniska system.
Specifikation
Specifikation
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
N-Kanal 400 V 5.5A (Tc) 74W (Tc) Genomgående hål TO-220AB
N-Kanal 400 V 5.5A (Tc) 74W (Tc) Genomgående hål TO-220AB
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The IRF730APBF is an N-Channel MOSFET designed for high voltage applications, featuring a maximum drain-source voltage (VDS) of 400V and a continuous drain current (ID) of 5.5A at a case temperature (Tc) of 25°C. It has a low on-state resistance (RDS(on)) of 1.0Ω at VGS = 10V and a maximum power dissipation of 74W. This device is suitable for switch mode power supplies and high-speed power switching applications.
The IRF730APBF is an N-Channel MOSFET designed for high voltage applications, featuring a maximum drain-source voltage (VDS) of 400V and a continuous drain current (ID) of 5.5A at a case temperature (Tc) of 25°C. It has a low on-state resistance (RDS(on)) of 1.0Ω at VGS = 10V and a maximum power dissipation of 74W. This device is suitable for switch mode power supplies and high-speed power switching applications.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Gustaf eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Gustaf Eriksson
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.