logo

IRF620STRLPBF

Tillverkare

SILICONIX

data-sheet
Datablad
Datablad
IRF620STRLPBF är utformad för industriella tillämpningar, särskilt inom effektstyrning och switchande kretsar. Dess robusta specifikationer gör den lämplig för användning i strömförsörjningar, motorstyrning och andra högströmsapplikationer där effektivitet och termisk prestanda är avgörande.
Specifikation
Specifikation
MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
N-Kanal 200 V 5.2A (Tc) 3W (Ta), 50W (Tc) ytmonterad D2PAK
N-Kanal 200 V 5.2A (Tc) 3W (Ta), 50W (Tc) ytmonterad D2PAK
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The IRF620STRLPBF is an N-Channel MOSFET with a maximum drain-source voltage (VDS) of 200 V and a continuous drain current (ID) of 5.2 A at a case temperature (Tc) of 25 °C. It features a low on-state resistance (RDS(on)) of 0.80 Ω at VGS = 10 V, making it suitable for high current applications. The device is housed in a D2PAK (TO-263) surface mount package, capable of dissipating up to 50 W, and is designed for fast switching and ease of paralleling.
The IRF620STRLPBF is an N-Channel MOSFET with a maximum drain-source voltage (VDS) of 200 V and a continuous drain current (ID) of 5.2 A at a case temperature (Tc) of 25 °C. It features a low on-state resistance (RDS(on)) of 0.80 Ω at VGS = 10 V, making it suitable for high current applications. The device is housed in a D2PAK (TO-263) surface mount package, capable of dissipating up to 50 W, and is designed for fast switching and ease of paralleling.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Bengt eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Bengt Almlund
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.