logo

IRF610PBF

Tillverkare

SILICONIX

data-sheet
Datablad
Datablad
IRF610PBF används främst inom industriella tillämpningar, inklusive effektstyrning, motorstyrning och switchade strömförsörjningar. Dess robusta specifikationer gör den lämplig för högspännings- och högströmsapplikationer, vilket säkerställer effektiv drift i krävande miljöer.
Specifikation
Specifikation
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
N-Kanal 200 V 3.3A (Tc) 36W (Tc) Genomgående hål TO-220AB
N-Kanal 200 V 3.3A (Tc) 36W (Tc) Genomgående hål TO-220AB
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The IRF610PBF is an N-Channel MOSFET rated for 200V and 3.3A (Tc) with a maximum power dissipation of 36W (Tc). It is housed in a TO-220AB package, suitable for through-hole mounting. This device is designed for high-efficiency switching applications, providing reliable performance in various electronic circuits.
The IRF610PBF is an N-Channel MOSFET rated for 200V and 3.3A (Tc) with a maximum power dissipation of 36W (Tc). It is housed in a TO-220AB package, suitable for through-hole mounting. This device is designed for high-efficiency switching applications, providing reliable performance in various electronic circuits.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Christian eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Christian Burö
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.