logo

IRF530STRRPBF

Tillverkare

SILICONIX

data-sheet
Datablad
Datablad
IRF530STRRPBF är utformad för effektförvaltningsapplikationer inom industriella och fordonsdomäner. Dess robusta specifikationer, inklusive en maximal effektförlust på 88W och ett brett driftstemperaturområde från -55 till +175 °C, gör den idealisk för användning i strömförsörjningar, motorstyrning och andra högpresterande elektroniska kretsar.
Specifikation
Specifikation
MOSFET N-CH 100V 14A TO263
MOSFET N-CH 100V 14A TO263
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
N-Kanal 100 V 14A (Tc) 3.7W (Ta), 88W (Tc) Ytmonterad TO-263 (D2PAK)
N-Kanal 100 V 14A (Tc) 3.7W (Ta), 88W (Tc) Ytmonterad TO-263 (D2PAK)
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The IRF530STRRPBF is an N-Channel MOSFET with a maximum drain-source voltage (VDS) of 100V and a continuous drain current (ID) of 14A. It features a low on-state resistance (RDS(on)) of 0.16Ω at VGS = 10V, making it suitable for high current applications. The device is housed in a TO-263 package, allowing for efficient thermal management and fast switching capabilities.
The IRF530STRRPBF is an N-Channel MOSFET with a maximum drain-source voltage (VDS) of 100V and a continuous drain current (ID) of 14A. It features a low on-state resistance (RDS(on)) of 0.16Ω at VGS = 10V, making it suitable for high current applications. The device is housed in a TO-263 package, allowing for efficient thermal management and fast switching capabilities.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Gustaf eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Gustaf Eriksson
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.