logo

HN1C03F-B(TE85L,F)

Tillverkare

TOSHIBA

data-sheet
Datablad
Datablad
HN1C03F-B(TE85L,F) är avsedd för muting- och switchapplikationer inom olika områden, inklusive konsumentelektronik och telekommunikation. Dess specifikationer gör den lämplig för användning i lågströmskretsar där platsbesparande ytmonterad teknik är avgörande, vilket säkerställer effektiv prestanda i kompakta konstruktioner.
Specifikation
Specifikation
TRANS 2NPN 20V 0.3A SM6
TRANS 2NPN 20V 0.3A SM6
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 20V 300mA 30MHz 300mW Ytmonterad SM6
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 20V 300mA 30MHz 300mW Ytmonterad SM6
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The HN1C03F-B(TE85L,F) is a bipolar NPN transistor array featuring two NPN transistors in a surface-mounted SM6 package. It operates at a maximum collector-emitter voltage of 20V and a collector current of 300mA, with a transition frequency of 30MHz. The device is suitable for muting and switching applications, offering low on-state resistance (RON) of 1Ω and high reverse hFE typical of 150.
The HN1C03F-B(TE85L,F) is a bipolar NPN transistor array featuring two NPN transistors in a surface-mounted SM6 package. It operates at a maximum collector-emitter voltage of 20V and a collector current of 300mA, with a transition frequency of 30MHz. The device is suitable for muting and switching applications, offering low on-state resistance (RON) of 1Ω and high reverse hFE typical of 150.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Christian eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Christian Burö
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.