logo

HN1B01FDW1T1G

Tillverkare

ON SEMICONDUCTOR

data-sheet
Datablad
Datablad
HN1B01FDW1T1G är avsedd för allmän förstärkning i olika tillämpningar, inklusive fordons-, industri- och konsumentelektronik. Dess höga spännings- och strömklassningar, tillsammans med sin komplementära konfiguration, gör den idealisk för signalbehandling och switchingtillämpningar.
Specifikation
Specifikation
TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC74
TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC74
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
Bipolär (BJT) Transistor Array 1 NPN, 1 PNP 50V 200mA 380mW ytmonterad SC-74
Bipolär (BJT) Transistor Array 1 NPN, 1 PNP 50V 200mA 380mW ytmonterad SC-74
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The HN1B01FDW1T1G is a complementary dual bipolar transistor array featuring 1 NPN and 1 PNP transistor in a surface-mounted SC-74 package. It supports a collector-emitter voltage (VCEO) of 50V, a collector current (IC) of 200mA, and a power dissipation of 380mW. The device exhibits high DC current gain (hFE) ranging from 200 to 400, making it suitable for general-purpose amplification applications.
The HN1B01FDW1T1G is a complementary dual bipolar transistor array featuring 1 NPN and 1 PNP transistor in a surface-mounted SC-74 package. It supports a collector-emitter voltage (VCEO) of 50V, a collector current (IC) of 200mA, and a power dissipation of 380mW. The device exhibits high DC current gain (hFE) ranging from 200 to 400, making it suitable for general-purpose amplification applications.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Andra tillverkare
HN1B01FDW1T1G finns även hos följande tillverkare
Kontakta säljare
Kontakta Petra eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Petra Målberg
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.