logo

HERAF808G

Tillverkare

TAIWAN SEMICONDUCTORS

data-sheet
Datablad
Datablad
HERAF808G är avsedd för användning inom industriella tillämpningar, särskilt i DC till DC-omvandlare, switchade mode-omvandlare och inverterare. Dess höga tillförlitlighet och kapabilitet för överspänning gör den idealisk för krävande miljöer där effektivitet och prestanda är avgörande.
Specifikation
Specifikation
DIODE GEN PURP 1KV 8A ITO220AC
DIODE GEN PURP 1KV 8A ITO220AC
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
Diode 1000 V 8A Genomgående hål ITO-220AC
Diode 1000 V 8A Genomgående hål ITO-220AC
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The HERAF808G is a high-efficiency general-purpose diode with a maximum repetitive reverse voltage (VRRM) of 1000 V and a forward current (IF) rating of 8 A. It features a glass passivated chip junction, low forward voltage drop, and high surge current capability. The device is housed in an ITO-220AC package and is suitable for various applications including DC to DC converters and switching mode power supplies.
The HERAF808G is a high-efficiency general-purpose diode with a maximum repetitive reverse voltage (VRRM) of 1000 V and a forward current (IF) rating of 8 A. It features a glass passivated chip junction, low forward voltage drop, and high surge current capability. The device is housed in an ITO-220AC package and is suitable for various applications including DC to DC converters and switching mode power supplies.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Lukas eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Lukas Wallin
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.